E3M0065090D
E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M
部品番号
E3M0065090D
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, E
部品のステータス
Active
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3
消費電力(最大)
125W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
900V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30.4nC @ 15V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
660pF @ 600V
Vgs (最大)
+18V, -8V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
15V
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