GA100JT12-227
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
部品番号
GA100JT12-227
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227
消費電力(最大)
535W (Tc)
FETタイプ
-
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10 mOhm @ 100A
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
14400pF @ 800V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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