GA10SICP12-263
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
部品番号
GA10SICP12-263
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK (7-Lead)
消費電力(最大)
170W (Tc)
FETタイプ
-
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 10A
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1403pF @ 800V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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