GA50JT12-247
TRANS SJT 1.2KV 50A
部品番号
GA50JT12-247
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247AB
消費電力(最大)
583W (Tc)
FETタイプ
-
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
25 mOhm @ 50A
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
7209pF @ 800V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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