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GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
部品番号
GP1M003A050HG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
消費電力(最大)
52.1W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
9nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
395pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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