GP1M006A065PH
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
部品番号
GP1M006A065PH
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
消費電力(最大)
120W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
17nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1177pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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