GSID100A120T2P2
SILICON IGBT MODULES
部品番号
GSID100A120T2P2
メーカー/ブランド
シリーズ
Amp+™
部品のステータス
Active
動作温度
-40°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
710W
構成
Three Phase Inverter
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
200A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)
1200V
電流 - コレクタカットオフ (最大)
1mA
IGBTの種類
-
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic
2.1V @ 15V, 100A
入力容量 (Cies) @ Vce
13.7nF @ 25V
入力
Three Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ
Yes
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