BSG0810NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
部品番号
BSG0810NDIATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerTDFN
パワー - 最大
2.5W
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TISON-8
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETの特徴
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A, 39A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1040pF @ 12V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 21390 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード BSG0810NDIATMA1
BSG0810NDIATMA1 電子部品
BSG0810NDIATMA1 売上
BSG0810NDIATMA1 サプライヤー
BSG0810NDIATMA1 ディストリビュータ
BSG0810NDIATMA1 データテーブル
BSG0810NDIATMA1の写真
BSG0810NDIATMA1 価格
BSG0810NDIATMA1 オファー
BSG0810NDIATMA1 最安値
BSG0810NDIATMA1 検索
BSG0810NDIATMA1 を購入中
BSG0810NDIATMA1 チップ