BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 4SOT223
部品番号
BSP88H6327XTSA1
メーカー/ブランド
シリーズ
SIPMOS®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT223-4
消費電力(最大)
1.8W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
240V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.4V @ 108µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
95pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.8V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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