IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
部品番号
IPC100N04S51R7ATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8
消費電力(最大)
115W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.4V @ 60µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
83nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4810pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
7V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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