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IPC60R041C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
部品番号
IPC60R041C6UNSAWNX6SA1
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Last Time Buy
包装
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テクノロジー
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動作温度
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取付タイプ
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パッケージ・ケース
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サプライヤーデバイスパッケージ
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消費電力(最大)
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FETタイプ
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FETの特徴
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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