Infineon Technologies IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 を購入

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IPDD60R080G7XTMA1

MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10

部品番号

IPDD60R080G7XTMA1

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

CoolMOS™ G7

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

10-PowerSOP Module

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-HDSOP-10-1

消費電力(最大)

174W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

29A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

80 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 490µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

42nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1640pF @ 400V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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