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IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
部品番号
IPI023NE7N3 G
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
消費電力(最大)
300W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
75V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.8V @ 273µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
206nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
14400pF @ 37.5V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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