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IPI072N10N3GXK
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
部品番号
IPI072N10N3GXK
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™ 3
部品のステータス
Obsolete
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
消費電力(最大)
150W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 90µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
68nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4910pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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