IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
部品番号
IPN60R2K1CEATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-223-3
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT223
消費電力(最大)
5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Super Junction
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.1 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 60µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.7nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
140pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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