IPS80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
部品番号
IPS80R1K2P7AKMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™ P7
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Stub Leads, IPak
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO251-3
消費電力(最大)
37W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
800V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 80µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
300pF @ 500V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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