IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
部品番号
IRF100B202
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®, StrongIRFET™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
221W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.6 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
116nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4476pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 51355 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF100B202
IRF100B202 電子部品
IRF100B202 売上
IRF100B202 サプライヤー
IRF100B202 ディストリビュータ
IRF100B202 データテーブル
IRF100B202の写真
IRF100B202 価格
IRF100B202 オファー
IRF100B202 最安値
IRF100B202 検索
IRF100B202 を購入中
IRF100B202 チップ