IRF1018ESPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
部品番号
IRF1018ESPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
消費電力(最大)
110W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
69nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2290pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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