IRF1104S
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
部品番号
IRF1104S
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
消費電力(最大)
2.4W (Ta), 170W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
93nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2900pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 38144 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF1104S
IRF1104S 電子部品
IRF1104S 売上
IRF1104S サプライヤー
IRF1104S ディストリビュータ
IRF1104S データテーブル
IRF1104Sの写真
IRF1104S 価格
IRF1104S オファー
IRF1104S 最安値
IRF1104S 検索
IRF1104S を購入中
IRF1104S チップ