IRF1902PBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
部品番号
IRF1902PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
消費電力(最大)
2.5W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
700mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
310pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.7V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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