IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
部品番号
IRF200B211
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®, StrongIRFET™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
80W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.9V @ 50µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
790pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 40665 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF200B211
IRF200B211 電子部品
IRF200B211 売上
IRF200B211 サプライヤー
IRF200B211 ディストリビュータ
IRF200B211 データテーブル
IRF200B211の写真
IRF200B211 価格
IRF200B211 オファー
IRF200B211 最安値
IRF200B211 検索
IRF200B211 を購入中
IRF200B211 チップ