IRL60B216
MOSFET N-CH 60V 195A
部品番号
IRL60B216
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®, StrongIRFET™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
375W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
258nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
15570pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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