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SPU18P06P

SPU18P06P

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
部品番号
SPU18P06P
メーカー/ブランド
シリーズ
SIPMOS®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO251-3
消費電力(最大)
-
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
33nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
860pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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