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IX4R11P7
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14DIP
パッケージ・ケース
14-DIP (0.300", 7.62mm)
ゲートタイプ
IGBT, N-Channel MOSFET
電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
4A, 4A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
650V
立ち上がり/立ち下がり時間 (標準値)
23ns, 22ns
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