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IXCY01N90E

IXCY01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
部品番号
IXCY01N90E
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252
消費電力(最大)
40W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
900V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
250mA (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 25µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7.5nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
133pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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