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IXT-1-1N100S1
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
部品番号
IXT-1-1N100S1
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-
取付タイプ
-
パッケージ・ケース
-
サプライヤーデバイスパッケージ
-
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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