IXYS IXTP01N100D MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

部品番号

IXTP01N100D

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-220-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-220AB

消費電力(最大)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

Depletion Mode

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1000V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

100mA (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

110 Ohm @ 50mA, 0V

Vgs(th) (最大) @ ID

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

120pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 9908 PCS

連絡先

関連製品

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB