IXYS IXTP1R4N120P MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 を購入

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IXTP1R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

部品番号

IXTP1R4N120P

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

Polar™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-220-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-220AB

消費電力(最大)

86W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

13 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 100µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

24.8nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

666pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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