IXYS IXTT10N100D2 MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 を購入

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IXTT10N100D2

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

部品番号

IXTT10N100D2

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-268

消費電力(最大)

695W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

Depletion Mode

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1000V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

1.5 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

200nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

5320pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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