IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
部品番号
IXTT2N170D2
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-268
消費電力(最大)
568W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Depletion Mode
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1700V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
110nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3650pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
±20V
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