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IXTU01N100D

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

部品番号

IXTU01N100D

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-251

消費電力(最大)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

Depletion Mode

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1000V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

100mA (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

80 Ohm @ 50mA, 0V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 25µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

120pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

Vgs (最大)

±20V

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