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MMIX1F180N25T

MMIX1F180N25T

MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
部品番号
MMIX1F180N25T
メーカー/ブランド
シリーズ
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
24-PowerSMD, 21 Leads
サプライヤーデバイスパッケージ
24-SMPD
消費電力(最大)
570W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
250V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
132A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 8mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
364nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
23800pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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