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IXRFSM12N100
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
部品番号
IXRFSM12N100
メーカー/ブランド
シリーズ
SMPD
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
16-SMPD
消費電力(最大)
940W
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th) (最大) @ ID
5.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
77nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2875pF @ 800V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
15V
Vgs (最大)
±20V
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