VMO1200-01F
MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
部品番号
VMO1200-01F
メーカー/ブランド
シリーズ
HiPerFET™
部品のステータス
Active
包装
Tray
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
Y3-Li
サプライヤーデバイスパッケージ
Y3-Li
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1220A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.35 mOhm @ 932A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 64mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2520nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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