VWM200-01P
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
部品番号
VWM200-01P
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
V2-PAK
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
V2-PAK
FETタイプ
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
210A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
5.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
430nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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