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LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
部品番号
LSIC1MO120E0160
メーカー/ブランド
部品のステータス
Active
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3
消費電力(最大)
125W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
57nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
870pF @ 800V
Vgs (最大)
+22V, -6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
20V
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