画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
LND150N3-G-P002

LND150N3-G-P002

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
部品番号
LND150N3-G-P002
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
消費電力(最大)
740mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Depletion Mode
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30mA (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
10pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
0V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 44643 PCS
連絡先
のキーワード LND150N3-G-P002
LND150N3-G-P002 電子部品
LND150N3-G-P002 売上
LND150N3-G-P002 サプライヤー
LND150N3-G-P002 ディストリビュータ
LND150N3-G-P002 データテーブル
LND150N3-G-P002の写真
LND150N3-G-P002 価格
LND150N3-G-P002 オファー
LND150N3-G-P002 最安値
LND150N3-G-P002 検索
LND150N3-G-P002 を購入中
LND150N3-G-P002 チップ