TC8020K6-G
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
部品番号
TC8020K6-G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tray
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
56-VFQFN Exposed Pad
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
56-QFN (8x8)
FETタイプ
6 N and 6 P-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
50pF @ 25V
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