APTM100A13DG
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
部品番号
APTM100A13DG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP6
パワー - 最大
1250W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP6
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V (1kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
65A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 6mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
562nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
15200pF @ 25V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 52673 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード APTM100A13DG
APTM100A13DG 電子部品
APTM100A13DG 売上
APTM100A13DG サプライヤー
APTM100A13DG ディストリビュータ
APTM100A13DG データテーブル
APTM100A13DGの写真
APTM100A13DG 価格
APTM100A13DG オファー
APTM100A13DG 最安値
APTM100A13DG 検索
APTM100A13DG を購入中
APTM100A13DG チップ