APTMC120HM17CT3AG
POWER MODULE - SIC MOSFET
部品番号
APTMC120HM17CT3AG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
-
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
750W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP3
FETタイプ
4 N-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
147A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 30mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
332nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5576pF @ 1000V
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