LN60A01EP-LF
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
部品番号
LN60A01EP-LF
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
動作温度
-20°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
8-DIP (0.300", 7.62mm)
パワー - 最大
1.3W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PDIP
FETタイプ
3 N-Channel, Common Gate
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
80mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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