Nexperia USA Inc. PHD38N02LT,118 MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK を購入

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PHD38N02LT,118

MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

部品番号

PHD38N02LT,118

メーカー/ブランド

Nexperia USA Inc.

シリーズ

TrenchMOS™

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

DPAK

消費電力(最大)

57.6W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

44.7A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

16 mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

15.1nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

800pF @ 20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

Vgs (最大)

±12V

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