PMCPB5530X,115
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
部品番号
PMCPB5530X,115
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-UDFN Exposed Pad
パワー - 最大
490mW
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN2020-6
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.3A, 3.4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
34 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
21.7nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
660pF @ 10V
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