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PMCXB1000UEZ

PMCXB1000UEZ

MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
部品番号
PMCXB1000UEZ
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-XFDFN Exposed Pad
パワー - 最大
285mW (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN1010B-6
FETタイプ
N and P-Channel Complementary
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
950mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
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