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PMT200EPEX

PMT200EPEX

PMT200EPE/SOT223/SC-73
部品番号
PMT200EPEX
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchMOS™
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-73
消費電力(最大)
800mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
70V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
167 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15.9nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
822pF @ 35V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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