Nexperia USA Inc. PMXB120EPE MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN を購入

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PMXB120EPE

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN

部品番号

PMXB120EPE

メーカー/ブランド

Nexperia USA Inc.

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

3-XDFN Exposed Pad

サプライヤーデバイスパッケージ

DFN1010D-3

消費電力(最大)

400mW (Ta), 8.3W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.4A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

120 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

11nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

309pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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