PMXB65UPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
部品番号
PMXB65UPEZ
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-XDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN1010D-3
消費電力(最大)
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
634pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.2V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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