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FCPF11N65

FCPF11N65

MOSFET N-CH 650V 11A
部品番号
FCPF11N65
メーカー/ブランド
シリーズ
SuperFET™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220F
消費電力(最大)
36W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
52nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1490pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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