ON Semiconductor FDB3502 MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB を購入

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FDB3502

MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

部品番号

FDB3502

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

PowerTrench®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-263AB

消費電力(最大)

3.1W (Ta), 41W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

75V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6A (Ta), 14A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

47 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

15nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

815pF @ 40V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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