ON Semiconductor FDD107AN06LA0 MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK を購入

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FDD107AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK

部品番号

FDD107AN06LA0

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

PowerTrench®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-252AA

消費電力(最大)

25W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3.4A (Ta), 10.9A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

91 mOhm @ 10.9A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

5.5nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

360pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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